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合理的配方和工艺是控制材料的化学成分和微观结构，获取优良的宏观物理性能的关键。而ZnO压敏陶瓷实验配方的设计是晶粒能否低压化的关键技术之一，各种元素的添加和量的控制直接影响材料的显微结构和晶界特性，进而决定压敏性能。ZnO本身的电性质对本征缺陷,尤其是对氧空位和锌填隙比较敏感,掺杂在压敏特性的形成过程中，影响烧结时晶粒的生长、液相在冷却时的去润湿作用以及陶瓷的电子缺陷态。到目前为止，人们对低压化及掺杂改性方面己经作了很多研究工作，得到了许多有价值的结果，如Co、Mn
、Sb等可改善非线性指数，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒绝缘和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善稳定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大电流非线性指数(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生长，Be、Ti、Sn则可促进晶粒生长。
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压敏电阻连续工作电压寿命，即压敏电阻在规定环境和系统电压条件下应能可靠地工作规定的时间（h）。由于压敏电阻总是承受着稳态工作电压应力的作用，压敏电阻的寿命是与漏电流密切相关的。在不发生机械或其他电气性能失效的情况下，压敏电阻的寿命主要由漏电流IR（密度JR）及其温度、电压和时间的上升情况所决定。随着漏电流IR（密度JR）升高，发热量增大，若这个能量不能散失，元件的温度会很快上升，这种元件在维持一段初始稳定状态后，终将达到热失控（击穿）的温度而结束其使用寿命。
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